車規級SIC碳化硅芯片燒結銀特點

碳化硅MOSFET模塊主要是為新能源汽車主逆變器應用需求而推出的，在生產工藝方面均采用的是AS9385銀燒結技術，銀燒結技術是以銀作為媒介將芯片連接起來，該技術目前在碳化硅模塊封裝中應用較為廣泛。

與傳統的錫焊相比，銀的熔點能達到961℃，錫的熔點只有230攝氏度左右，當碳化硅模塊工作溫度高于200攝氏度時，使用錫焊在連接層處會出現典型的疲勞效應。由于銀具有優異的導熱和導電特性，使用銀燒結技術不僅能夠提高了模塊的可靠性、工作結溫，還能降低熱阻和寄生電感，進而提升整車的電能效率。